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标准半导体工艺
·LPCVD氮化硅（标准型)
·LPCVD氮化硅（低应力型）
·LPCVD斜坡温度多晶硅
·LPCVD一致晶粒多晶硅
·LPCVD氧化层TEOS（正硅酸乙脂）
·LPCVD VLTO（低温氧化）
·LPCVD BPSG（硼磷硅玻璃）
· 高温氧化
· 干法氧化
· 湿法氧化
· 掺杂扩散 （3-4路液相掺杂管路 ( POCL3 or BBR3)）
· 5-6路TCA或Hcl气路
· 混合气体退火
· 高温热回火
· 低温退火和合金化
· 高温驱入（Drive in）

标准LED工艺
·高真空退火（环境可控）
·低温合金化/退火

标准PV（太阳能）工艺
·湿氧/干氧
·PN结驱入
·Forming气体退火
·氢气退火
·低温热处理
·POCl3，BBr3 PN结和槽
·反射氮化膜（ARC Nitride coating）

标准MEMS（微机电）工艺
·低应力CVD氮化物
·氧氮化物SIPOS
·厚氧
·TEOS，良好的台阶覆盖能力
·多晶硅和掺杂多晶硅

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